維卡爾·侯賽因·沙阿
摻雜碲化物(Tl 10 Te 6 )硫族化物奈米粒子的電學和熱學性質主要表現為金屬態(電洞摻雜濃度)和半導體態之間的競爭。我們研究了Sn摻雜對密封石英管固相反應和球磨法製備的奈米顆粒Tl 10-x Sn x Te 6 (1.00≤x≤2.00)電學和熱電性能的影響。從結構上看,所有這些化合物均是相純的,經 X 射線衍射儀 (XRD) 和能量色散 X 射線光譜 (EDS) 分析證實。此外,晶體結構數據也用於對數據進行建模並支持研究結果。透過謝樂公式從 XRD 資料計算顆粒尺寸。 EDS 用於對樣品進行元素分析並標示系統中存在的元素的百分比。對所有這些化合物的熱電位或塞貝克係數 ( S ) 進行了測量,結果表明,S隨著溫度從295 K 升高到550 K 而增加。出p 型半導體特性。透過四種探針電阻率技術研究電導率,結果顯示電導率隨著溫度的升高而降低,並且同時隨著 Sn 濃度的增加而降低。而對於塞貝克係數,趨勢相反,隨著溫度的升高而增加。塞貝克係數的這些增加行為導致高功率因數隨著溫度和Sn濃度的增加而增加,除了Tl 8 Sn 2 Te 6之外,因為其電導率最低,但其功率因數隨著溫度的增加而增加。